应用材料公司在芯片布线领域取得重大突破，驱动逻辑微缩进入3 纳米及以下技术节点
6月17日应用材料公司推出了一种全新的先进逻辑芯片布线工艺技术，可微缩到3纳米及以下技术节点。
应用材料公司全新的Endura®CopperBarrierSeedIMS™解决方案在高真空条件下将七种不同工艺技术集成到了一个系统中，从而使芯片性能和功耗得到改善。
虽然晶体管尺寸缩小能够使其性能提升，但这对互连布线中的影响却恰恰相反：互连线越细，电阻越大，导致性能降低和功耗增加。从7纳米节点到3纳米节点，如果没有材料工程技术上的突破，互连通孔电阻将增加10倍，抵消了晶体管缩小的优势。
应用材料公司称其开发了一种名为Endura®CopperBarrierSeedIMS™的全新材料工程解决方案。这个整合材料解决方案在高真空条件下将ALD、PVD、CVD、铜回流、表面处理、界面工程和计量这七种不同的工艺技术集成到一个系统中。
其中，ALD选择性沉积取代了ALD共形沉积，省去了原先的通孔界面处高电阻阻挡层。解决方案中还采用了铜回流技术，可在窄间隙中实现无空洞的间隙填充。通过这一解决方案，通孔接触界面的电阻降低了50%，芯片性能和功率得以改善，逻辑微缩也得以继续至3纳米及以下节点。
应用材料表示，这种独特的整合解决方案旨在帮助客户改善性能、功率和面积成本。Endura Copper Barrier Seed IMS系统现已被客户运用在全球领先的逻辑节点代工厂生产中。
应用材料公司全新的Endura®CopperBarrierSeedIMS™解决方案在高真空条件下将七种不同工艺技术集成到了一个系统中，从而使芯片性能和功耗得到改善。
虽然晶体管尺寸缩小能够使其性能提升，但这对互连布线中的影响却恰恰相反：互连线越细，电阻越大，导致性能降低和功耗增加。从7纳米节点到3纳米节点，如果没有材料工程技术上的突破，互连通孔电阻将增加10倍，抵消了晶体管缩小的优势。
应用材料公司称其开发了一种名为Endura®CopperBarrierSeedIMS™的全新材料工程解决方案。这个整合材料解决方案在高真空条件下将ALD、PVD、CVD、铜回流、表面处理、界面工程和计量这七种不同的工艺技术集成到一个系统中。
其中，ALD选择性沉积取代了ALD共形沉积，省去了原先的通孔界面处高电阻阻挡层。解决方案中还采用了铜回流技术，可在窄间隙中实现无空洞的间隙填充。通过这一解决方案，通孔接触界面的电阻降低了50%，芯片性能和功率得以改善，逻辑微缩也得以继续至3纳米及以下节点。
应用材料表示，这种独特的整合解决方案旨在帮助客户改善性能、功率和面积成本。Endura Copper Barrier Seed IMS系统现已被客户运用在全球领先的逻辑节点代工厂生产中。
来源：应用材料
